Leti联合IRIG开发CMOS制程的量子集成电路
发布日期：2020-02-21
来源： EEWORLD
CEA-Leti和CEA-IRIG联合开发了第一个在CMOS芯片上带有量子点的量子集成电路，该芯片采用28nm FD-SOI工艺制造，集成了模拟和数字功能（多路复用器，缓冲器，信号放大器，振荡器，电平转换器等）。
这项研究还证明了CEA-Leti在FD-SOI技术中的低温仪器方面的专有技术，还可以用于其他非硅量子设备，例如超导量子位。该论文的主要作者Lo?ckLe Guevel解释说，量子集成电路是一种概念验证电路，它将微电子基准测试和量子点结合在一起，并在有限的功率预算内在低于开尔文的温度下工作。
量子硅器件使用了设计先进电路所需的所有元素，并且通过FD-SOI实现电路设计人员可以使用经典电子技术在IP模块中嵌入式qubit阵列，以构建定制的大规模量子硅处理器。
这项研究还证明了CEA-Leti在FD-SOI技术中的低温仪器方面的专有技术，还可以用于其他非硅量子设备，例如超导量子位。该论文的主要作者Lo?ckLe Guevel解释说，量子集成电路是一种概念验证电路，它将微电子基准测试和量子点结合在一起，并在有限的功率预算内在低于开尔文的温度下工作。
量子硅器件使用了设计先进电路所需的所有元素，并且通过FD-SOI实现电路设计人员可以使用经典电子技术在IP模块中嵌入式qubit阵列，以构建定制的大规模量子硅处理器。