设计应用

MOSFET寄生参数对LLC谐振变换器性能影响研究

作者：沈 华，甄昊涵，童 涛，沈培刚，陈海敏，陈圣泽
发布日期：2021-01-18
来源：2021年电子技术应用第1期

0 引言

    随着电力电子技术的发展，对电子元器件自身造成的损耗要求越来越严格，人们期望通过技术的改变，大幅降低开关器件的功耗，达到节约能源，提升控制精度的目的。近年来，开关电源作为电力电子的一个重要应用方向，其频率日益高频化。然而，开关速度的提高，使某些在低频下能够忽略的寄生参数，如印制电路板的布线、器件封装形式导致的寄生电感以及开关器件的寄生电容，它们在高频的工作环境下，容易形成振荡[1]，给应用电路带来过高的电压和电流，增加了器件损坏的风险[2-3]。

    为此,许多学者对于开关器件的寄生参数问题开展了大量研究工作。如文献[4-5]针对MOSFET开关器件的Miller电容的非线性问题进行了研究，得出了影响Miller电容非线性特性的一些因素和数学模型；文献[6]研究了MOSFET寄生参数(电感、电容、电阻)对MOSFET开关器件开关性能的影响，对理论分析和实验结果进行了对比分析；文献[7]分别研究了栅极、漏源级回路中的寄生电感对开关器件的影响以及开关损耗的分析。

    基于前人所做工作，本文以LLC谐振变换器作为研究对象，研究MOSFET寄生参数对电路性能的影响。




本文详细内容请下载:http://www.chinaaet.com/resource/share/2000003303




作者信息:

沈  华，甄昊涵，童  涛，沈培刚，陈海敏，陈圣泽

(国网上海市电力公司电力科学研究院，上海200090)

此内容为AET网站原创，未经授权禁止转载。
寄生参数 LLC谐振电路 Angelov模型 输出增益 谐振频率

Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2

Baidu
map