0 引言
混合集成电路(HIC)原定义是由开云棋牌官网在线客服集成工艺与厚膜(包括LTCC/HTCC，下同)/薄膜工艺结合而制成的集成电路，按GJB-2438《混合集成电路通用规范》：“由两个或两个以上下列元件的组合，并且其中至少有一个是有源器件：(a)膜集成电路；(b)单片集成电路；(c)开云棋牌官网在线客服分立器件；(d)片式、印刷或淀积在基片上的无源元件。”[1]混合集成技术即为实现混合集成电路的技术。相对于单片集成电路，它设计灵活，工艺方便，便于快速研制、多品种小批量生产；并且其元件参数范围宽、精度高、稳定性好，可以承受较高电压和较大功率。但随着基于硅基TSV技术引发的3D IC变革、日渐成熟SoC技术领域快速扩张、PCB级产品的组装密度和可靠性提升、低成本和商业化消费电子的突飞猛进，混合集成电路传统优势不断被挑战，所以混合集成技术也在不断进步和发展，已远超出厚薄膜电路范畴，但也带来了涵义和内容的模糊化。第一、二代混合集成技术已经建立从设计、材料、工艺到后续封装、试验、应用等十分完善的技术体系，其典型指标(线宽/线间距、多层层数、I/O密度)基本稳定；而三、四代技术（功能一体化封装、3D组装、微纳组装）正在突飞猛进。为了迎合不断发展的信息装备小型化、轻量化、高速化、多功能化的市场需求，混合集成技术也在升级换代，以更好地发挥灵活、快速、低成本、实用性强的技术优势。混合集成技术是电子技术的一个分支，工艺技术与产品应用本身具有一体两面性，所以混合集成的代际发展与电子科技的五次技术浪潮[2](微电子学、射频/无线、光电子学、MEMS、量子器件)两者相辅相成，互相促进形成今天的电子行业。
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作者信息:
朱雨生1，施 静2，陈 承1
(1.中国电子科技集团公司第四十三研究所 微系统安徽省重点实验室，安徽 合肥230088；
2.陆军炮兵防空兵学院，安徽 合肥230039)
