设计应用

采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制

作者：于 淼1，2，3，宋李梅1，2，3，李 科2，3，丛密芳2，3，李永强2，3，任建伟2，3
发布日期：2021-07-05
来源：2021年电子技术应用第7期

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    硅基射频场效应晶体管作为固态功率器件，与双极型晶体管相比，具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿和可以多胞并联输出大功率等一系列优点[1-2]，在高频(HF)、甚高频(VHF)和特高频(UHF)波段(如移动通信、广播、超视距雷达、磁共振成像、射频加热和无线电接收器等领域)得到广泛应用[3-4]。近几年来，虽然氮化镓(GaN)器件市场发展迅速，但是由于GaN材料加工工艺复杂，成本较高，主要适用于3.5 GHz或更高频段的高频大功率应用场合，而在较低频段，硅基射频垂直双扩散金属氧化物开云棋牌官网在线客服场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor field effect transistor，VDMOS)由于成熟度和性价比更高而更具优势，因此，硅基射频VDMOS主要应用在低频宽带大功率和对可靠性要求较高的领域[5-7]。




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作者信息：

于  淼1，2，3，宋李梅1，2，3，李  科2，3，丛密芳2，3，李永强2，3，任建伟2，3

(1.中国科学院大学，北京100049；2.中国科学院微电子研究所，北京100029；

3.中国科学院硅器件技术重点实验室，北京100029)




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