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近年来，通信技术以惊人的速度发展，新一代移动通信芯片将被要求支持更多的频段和敦促显著的频率灵活性。低噪声放大器" target="_blank">低噪声放大器在蜂窝通信、WLAN、无线传感网络和WiMax等领域得到了广泛运用[1]。在2019年RDCAPE会议，BANSAL M和JYOTI提出了一款基于CMOS工艺的2.4 GHz蓝牙通信的低噪声放大器，它的噪声系数为3.695 dB，最大增益为21.154 dB[2]。同年的IEMCON会议，KHOSAVI H等人发表了一个应用于WLAN 2.4 GHz的低噪声放大器，该低噪声放大器的增益为15.1 dB，噪声系数为2.7 dB[3]。近年来，对于宽频带低噪放的研究也受到了广泛的关注。例如2020年PATHAKR D等人设计了一个工作在2.2～2.55 GHz的无线传感器网络低噪声放大器，在工作频段内的噪声系数和增益分别为3.6 dB和24 dB[4]。但是，这些研究在实现高增益宽频带情况下获得的噪声系数普遍比较大。为此，本文基于GaAs pHEMT工艺，设计并实现了一款宽频带、可满足多种无线通信服务需求的带旁路功能的射频接收前端全集成芯片。在LNA模式下，该芯片在2.3～2.7 GHz的宽频带范围内可实现1.53～1.64 dB较低的噪声系数和18.1～19.2 dB较高的增益性能。
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作者信息：
饶忠君1，张志浩1，2，章国豪1，2
(1.广东工业大学 信息工程学院，广东 广州510006；2.河源广工大协同创新研究院，广东 河源517000)
