设计应用

面向SoC的SRAM读出电路加固设计

作者：沈 婧，薛海卫，陈玉蓉，张猛华，王 蕾
发布日期：2021-09-27
来源：2021年电子技术应用第11期

0 引言

    高能带电粒子在器件的灵敏区内产生大量带电粒子的现象，它属于电离效应。当能量足够大的粒子射入集成电路时，由于电离效应(包括次级粒子的)，产生数量级多的电离电子-空穴对，引起开云棋牌官网在线客服器件的软件错误，使逻辑器件和存储器产生单粒子翻转，CMOS器件产生单粒子闭锁，甚至出现单粒子永久损伤的现象，辐射主要包括质子、中子、重离子和α粒子[1-3]。集成度的提高、特征尺寸的降低、临界电荷和有效LET阈值下降等会使抗单粒子扰动能力降低。器件的抗单粒子翻转能力明显与电路设计、版图设计、工艺条件等因素有关[4]。

    锁存器经常被用于现在的超大规模集成电路中，特别是SoC和CPU的流水线结构中[5-6]。数据读出电路的数据锁存也是必不可少的，因此提高锁存器的抗单粒子能力意义重大。本文基于双互锁(DICE)结构[7-8]和Muller_C单元[9-10]，对SoC片上SRAM的数据读出电路进行了抗辐射加固设计，并先后提出了两种不同结构的读出电路。




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作者信息：

沈  婧，薛海卫，陈玉蓉，张猛华，王  蕾

(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡214035)




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SOC 单粒子翻转 SRAM读出电路 数据读出速度

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