0 引言
随着信息时代的到来，数据的吞吐量呈现出爆炸式的增加，其中70%以上的数据流量交互发生在数据中心[1-4]。光纤通信作为一种解决方案，能够利用光信号传输更多的数据，效率更高，传输速度更快，同时能耗更低，使数据中心之间的带宽传输能力得到了显著提高[5-8]。马赫-曾德尔调制器(Mach-Zehnder Modulator，MZM)作为光发射机的重要组成部分，它具有高速度和宽光谱等优点。对于行波电极的MZM，通常需要2 V至10 V的驱动电压以保证输出光的高消光比[9]。然而，这对行波MZM的驱动电路却提出了更高的要求。MZM更高的传输速度迫使驱动电路采用更小节点的工艺来设计制造，工艺节点越小，器件的击穿电压也就越低，这与大摆幅驱动电压相互矛盾。P.Rita等人采用0.13 ?滋m SiGe：C BiCMOS工艺设计了工作速度为40 Gb/s，输出Vpp为4 V的行波MZM驱动器[10]。在2017年，一种采用55 nm SiGe BiCMOS工艺的行波MZM驱动器可以实现工作速率128 Gb/s，输出电压可达4.8 V[11]。然而，上述两种方案中都没有考虑输入信号受工艺、电压、温度和封装等因素的影响，信号强度会发生较大的变化，需要驱动器的增益可调；以及直流失调可能会导致系统不能正常工作。
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作者信息：
黄 俊，任方圆，胡 欢，袁 恺，闵成彧
(联合微电子中心有限责任公司，重庆400000)
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