设计应用

基于HITOC DK与3DIC Integrity的3DIC芯片物理设计

作者：徐 睿，王贻源
发布日期：2022-08-09
来源：2022年电子技术应用第8期

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    1956年，英特尔创始人戈登·摩尔提出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18～24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这一定律揭示了信息技术进步的速度。过去的半个多世纪，开云棋牌官网在线客服行业一直遵循着摩尔定律(Moore′s law)高速地发展，如今，制程节点已经来到了5 nm，借助于EUV光刻及FINFET等先进技术，正在向3 nm甚至更先进的节点演进。然而，随着芯片制造工艺不断接近物理极限，单纯的开云棋牌官网在线客服工艺升级带来的计算性能的提升不再像以前那么迅速，芯片发展逐渐步入后摩尔时代。3D堆叠技术是把不同功能的芯片或结构，通过堆叠技术或过孔互连等微机械加工技术，使其在z轴方向上形成立体集成、信号连通，是以晶片级、芯片级等封装和可靠性技术为目标的三维立体堆叠加工技术。3DIC 将不同工艺制程、不同性质的芯片整合在一个封装体内，提供了性能、功耗、面积和成本方面的优势。3DIC能够为5G芯片、CPU、车载芯片等应用场景提供更高水平的集成、更高性能的计算和更大的通信带宽。3DIC已经成为后摩尔时代延续摩尔定律的最佳途径之一。




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作者信息：

徐  睿，王贻源

(芯盟科技，上海200000)




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