0 引言
在器件技术的推动下，单片微波集成电路（MMIC）向着毫米波和多功能应用领域发展[1-2]。封装外壳作为连接芯片与外部电路的唯一桥梁，其不仅承担了机械支撑的外部保护作用，还是信号传输的重要通道。适用于微波电路封装的陶瓷外壳逐渐向高频率、高功率、高集成和高可靠的方向发展。利用高温共烧技术制备的四侧无引线扁平陶瓷（Ceramic Quard Flat No-lead，CQFN）外壳具备结构强度高、耐恶劣环境以及在测试、安装过程中不存在引脚受外界应力而产生形变等优点，可以保证集成电路封装的可靠性，以满足长期储存、高可靠等要求比较高的环境中使用。与SOIC、TSOP、QFP和TQFP等封装形式相比，CQFN型外壳在封装面积、封装高度、封装重量和寄生效应等方面均有优异特性[3-4]。因此，CQFN外壳逐渐成为MMIC的主要封装形式。
与一般集成电路封装需求相比，适用于微波电路的CQFN型外壳在设计和加工制造方面难度更大。在微波设计方面，中国电科55所陆续报道了多款覆盖C波段、X波段和Ku波段的陶瓷外壳[5-8]。在制造工艺方面，通过结构设计和关键工艺技术的突破，重点解决了小节距陶瓷外壳产品的冲孔、注浆、细线条金属化印刷问题，CQFN型外壳的节距可覆盖至0.50 mm [9-10]。
由于CQFN型外壳的封装尺寸小，增加了高频微波传输设计的难度。本文介绍了一款基于HTCC技术的CQFN型外壳，重点对陶瓷外壳微波传输通道的屏蔽地孔进行了设计与优化，其使用频率覆盖至40 GHz，可为同类型产品设计提供借鉴意义。
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作者信息：
周昊，颜汇锃，施梦侨，程凯
（中国电子科技集团公司第五十五研究所，江苏 南京 210016）
