引言
随着互补金属氧化物开云棋牌官网在线客服(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)工艺的不断发展,CMOS凭借其便于集成以及成本低等优点,逐渐成为了主流工艺。但是CMOS放大器受失调电压(1~10 mV)、温漂以及1/f噪声的影响,无法满足高精度应用的要求。通常在电路设计上解决上述问题有两种技术:斩波技术和自归零技术[1-2]。采用斩波技术会在放大器的输出端引入纹波,如果放大器后面驱动模数转换器(ADC),这种纹波在ADC采样时会产生较大的误差,除非采样和斩波同步发生在纹波的过零点[3]。随着斩波技术的发展,文献[4-7]分别展示了不同的方法来减小纹波。但所有这些方法有一个共同的缺点:当输入被调制时,即使放大器是无失调偏移的,它们有限的带宽也将引起切换瞬变,而在放大器的输出处解调时,切换瞬变会变成毛刺。而自归零相比斩波而言,由于没有调制解调过程,不会产生纹波[8]。但由于采样作用,自归零是一种不适用于连续时间工作的技术。当需要连续时间操作时,则需要使用乒乓结构[9],其中两个自归零放大器彼此并联运行,一个自动调零,一个用于放大信号。此外放大器在乒乓切换过程中,一般采用两相非交叠时钟控制切换时序[10],但这样会在放大器的输出引入毛刺。
为了解决上述问题,本文基于350 nm CMOS工艺设计了一个乒乓结构的自归零放大器。该放大器采用乒乓架构实现自归零的连续工作,使用一种新颖、高效的稳定阶段时序,不仅有效降低了放大器在乒乓切换过程中的稳定时间,而且更重要的是减小了放大器的输出毛刺。本设计实际测试结果表明,在5 V电源电压下,该放大器消耗了650 µA的功耗,实现了最大3 µV的失调电压,8 MHz的增益带宽积,1 kHz下噪声频谱密度为30 nV/√Hz。
本文详细内容请下载:
https://www.chinaaet.com/resource/share/2000006358
作者信息:
邓新伟,杨尚争,毛佳烽,胡伟波,任立儒
(南开大学 电子信息与光学工程学院,天津 300350)