引言
随着集成电路的发展，物联网与便携设备的应用越来越广泛，而这些设备都离不开电源管理芯片[1]。电源管理芯片的主要作用是隔离外部电源的波动，提供稳定的输出电压供给芯片[2]。在电源管理芯片中，低压差线性稳压器因其集成度高、功耗低、电源抑制能力强、噪声小而备受关注[3-5]。
传统的低压差线性稳压器一般工作在正电压域，即电源电压大于零[6]。而在某些特殊应用场景中，如通信和基础设施、医疗健康、工业仪表等领域，会出现负电压的情况，需要低压差线性稳压器提供负电压[7-9]。通常情况下，负压电路和正压电路会同时出现在电路系统中，这些电路统一受中央处理器（MCU）的使能控制。
但是MCU只能输出正压使能信号，这就对负压LDO提出了要求，需要负压LDO既能在负压使能信号下启动，也要在正压使能信号下正常启动[10-12]。
为了实现负压LDO的双向使能，本设计基于互补型金属氧化物开云棋牌官网在线客服（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）的工作特点，提出一种可以双向启动的使能电路。首先介绍了负压LDO的基本结构，并根据双向使能信号的电压特点，基于350 nm工艺，设计并制造出可以双向使能的负压LDO，最后进行测试验证，总结结论。
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作者信息：
杨尚争，邓新伟，毛佳烽，胡伟波，尚佳彬
（南开大学 电子信息与光学工程学院，天津 300350）
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