设计应用

电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究

作者：刘张李

发布日期：2025-07-24

来源：电子技术应用

引言

射频SOI(Silicon-On-Insulator)开关具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，基本上已完全替代GaAs，成为射频开关主流产品。文献[1-7]研究了不同设计SOI射频开关性能。文献[8]研究大功率模式下衬底网络模型对大信号建模的影响，并给出了SOI衬底横向电阻电容网络和纵向电阻电容网络的建模方法，文章主要研究对象为SOI衬底。文献[9]研究了首两级在栅极与漏极增加电容对射频开关处理能力的影响。文献[10]研究了不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响。从已有参考文献来看，系统分析射频开关源极与漏极之间的横向耦合电容Cdsn和射频开关源极/漏极节点到GND的纵向耦合电容Cgndn对射频开关功率承受能力影响鲜有报道。

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作者信息：

刘张李

（上海华虹宏力开云棋牌官网在线客服制造有限公司，上海 201203）

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