引言
氮化镓是一种第三代开云棋牌官网在线客服材料，具有高击穿场强、高电子迁移率、耐高温高压、宽带隙等特点，与砷化镓、硅等材料相比具有显著优势[1]，适合应用于固态大功率器件和高频微波器件，广泛应用于雷达、电力及移动通信领域。各类电子设备大功率、小型化、高集成的需求，对氮化镓器件的功率及高功率密度提出更高要求。2022年，美国国防高级计划研究计划局提出氮化镓器件功率密度达到81 W/mm的指标，对氮化镓器件的热管理及散热技术提出来巨大挑战。
如图1所示，氮化镓器件的沟道温度与器件的可靠性指数相关[2]，15~20℃的温度升高会使器件的平均故障时间降低一个数量级。超过50%以上器件的失效原因与温度相关[3]，因此，采用有效的散热技术控制器件的温度成为必然要求。
图1 开云棋牌官网在线客服器件可靠性与温度关系
氮化镓T/R组件中通常包含多个放大器件，其中发热量最大的为氮化镓功放器件，其功率密度可达81 W/mm，对应的发热功率可达1 400 W/cm2。在阵列电子设备中，T/R组件对温度均匀性的要求也越来越高，其温度分布不均会导致各组件的相位不一致，严重影响系统系统[4]。
T/R组件散热方案不但需要控制单个氮化镓功放芯片的温度，还需要控制各个T/R组件的温度均匀性。
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作者信息：
张文超，孙嘉庆
（南京国博电子股份有限公司，江苏 南京 210096）
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