Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
发布日期：2025-12-09
来源：Littelfuse公司
伊利诺伊州罗斯蒙特，2025年12月9日 -- Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200 V、480 A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99 mΩ，可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。
MMIX1T500N20X4功率MOSFET
MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装，配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比，该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on)，使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。
功能与特色：
· 200 V阻断电压，1.99 mΩ超低RDS(on)，可将传导损耗降至最低；
· 高电流能力（ID = 480 A）减少了所需并联器件的数量；
· 紧凑型SMPD-X隔离封装，具有2500 V隔离和改进的热阻（Rth(j-c) = 0.14 °C/W）；
· 低栅极电荷（Qg = 535 nC）降低了栅极驱动功率要求；
· 采用顶部冷却式封装，简化热管理。
这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。
应用：
该MMIX1T500N20X4非常适合：
· 直流负载开关；
· 电池储能系统；
· 工业和过程电源；
· 工业充电基础设施；
· 无人机和垂直起降飞行器（VTOL）平台。
“新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中，从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道， “这有助于提高系统可靠性，简化栅极驱动器的实施，同时提高功率密度和PCB空间利用率。”
常见问答（FAQ）
1. 与现有解决方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率？
MMIX1T500N20X4提供1.99 mΩ的超低RDS(on)，额定电流为480 A，可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET，可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。
2. 这款MOSFET最适合哪些应用场景？
该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。
3. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势？
高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻（Rth(j-c) = 0.14 °C/W）和2500 VRMS隔离性能，可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理，减小了系统尺寸，并增强了长期可靠性。
供货情况
MMIX1T500N20X4以管式（20支）和卷带式（每卷160支）两种形式提供。通过全球授权的Littelfuse经销商提交样品申请。如需了解Littelfuse授权经销商名单，请访问 Littelfuse官网。
