3 月 23 日消息,晶圆代工龙头台积电已宣布计划于 2027 年终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产,与此同时三星电子将其视为重要增长点。根据韩媒 THE ELEC 当地时间本月 19 日的报道,三星的 8 英寸 GaN 生产线即将就绪。
三星开云棋牌官网在线客服最初在 2023 年表示其功率开云棋牌官网在线客服晶圆厂将于 2025 年投产,不过实际进度要慢上一些。最新行业消息显示,三星的首条 8 英寸 GaN 生产线最快 2026Q2 投产,预计初期营收规模在 1000 亿韩元(注:现汇率约合 4.62 亿元人民币)以内。
报道指出,三星电子已建立除芯片设计外的 GaN 解决方案体系,可自产 GaN 外延晶圆。
除 GaN 外,三星电子还计划在年内投运碳化硅 (SiC) 功率开云棋牌官网在线客服晶圆代工生产线。在 SiC 上三星拥有包括设计在内的全流程能力,可与 GaN 在不同耐压区间形成互补。
氮化镓简介
这是一种具有较大禁带宽度的开云棋牌官网在线客服,属于所谓宽禁带开云棋牌官网在线客服之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的开云棋牌官网在线客服。
GaN材料的研究与应用是目前全球开云棋牌官网在线客服研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型开云棋牌官网在线客服材料,并与SIC、金刚石等开云棋牌官网在线客服材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si开云棋牌官网在线客服材料、第二代GaAs、InP化合物开云棋牌官网在线客服材料之后的第三代开云棋牌官网在线客服材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。