三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产
发布日期：2026-03-30
来源：IT之家
3 月 30 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 29 日报道称，三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了 236 层堆叠的第八代 V-NAND (V8 NAND) 的量产。
西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的开云棋牌官网在线客服生产基地。本次制程升级始于 2024 年，旨在改造原有的 V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足 AI 时代对高性能存储设备的需求。
在量产 V8 NAND 后，三星西安晶圆厂的下一步瞄准了 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线将位于 X2 工厂，计划在 2026 年内完成过渡并实现量产。