电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究
电子技术应用
刘张李
上海华虹宏力开云棋牌官网在线客服制造有限公司
摘要： 通过比较分析研究电容网络对射频SOI开关功率承受能力的影响，主要包括射频开关晶体管源极与漏极之间的横向耦合电容Cdsn和射频开关源极与漏极节点到GND的纵向耦合电容Cgndn。研究内容包括射频开关堆叠结构Cdsn/Cgndn逐步变化，前两级Cdsn/Cgndn电容值大小，前N级Cdsn/Cgndn电容网络对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响，研究结果为射频开关电路设计提供参考。
中图分类号：TN432 文献标志码：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246217
中文引用格式： 刘张李. 电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究[J]. 电子技术应用，2025，51(7)：36-40.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of capacitor network on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(7)：36-40.
中文引用格式： 刘张李. 电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究[J]. 电子技术应用，2025，51(7)：36-40.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of capacitor network on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(7)：36-40.
Effects of capacitor network on power handling capability of RF SOI switch
Liu Zhangli
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
Abstract： The effects of capacitor network on power handling capability of Radio-Frequency Silicon-On-Insulator (RF SOI) switch were comprehensively investigated in this work, including the horizontal coupling capacitor Cdsn between the RF Switch Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) drain-to-source, and the vertical coupling capacitor Cgndn between the RF Switch MOSFET drain/source-to-gnd. The impacts of stack structure with gradual change Cdsn/Cgndn, larger 1st/2nd stage Cdsn/Cgndn and larger N stage Cdsn/Cgndn capacitor network on RF switch insertion loss, isolation and power handling capability was discussed in detail. The result can be reference as RF switch circuit design.
Key words : RF switch；power handling capability；capacitor network
引言
射频SOI(Silicon-On-Insulator)开关具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，基本上已完全替代GaAs，成为射频开关主流产品。文献[1-7]研究了不同设计SOI射频开关性能。文献[8]研究大功率模式下衬底网络模型对大信号建模的影响，并给出了SOI衬底横向电阻电容网络和纵向电阻电容网络的建模方法，文章主要研究对象为SOI衬底。文献[9]研究了首两级在栅极与漏极增加电容对射频开关处理能力的影响。文献[10]研究了不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响。从已有参考文献来看，系统分析射频开关源极与漏极之间的横向耦合电容Cdsn和射频开关源极/漏极节点到GND的纵向耦合电容Cgndn对射频开关功率承受能力影响鲜有报道。
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作者信息：
刘张李
（上海华虹宏力开云棋牌官网在线客服制造有限公司，上海 201203）
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