英伟达苹果等百万年薪挖角HBM与NAND人才
2026-02-25
来源:快科技
2月25日消息,据报道,随着内存在AI算力中的战略地位飙升,美国科技巨头正掀起针对韩国存储人才的抢人大战。
报道称,美国科技巨头正在针对三星电子和SK海力士的工程师开展定向招聘活动,旨在缩小这两家公司在内存市场长期以来的领先优势。
本月早些时候,NVIDIA发布了面向HBM开发工程师的职位空缺,基础薪资高达258750美元(约178万元人民币);苹果则在上个月发布了NAND产品工程师职位,年薪达到305600 美元(约210万元人民币)。
报道进一步指出,中国台湾的联发科也加入了竞争,寻求HBM工程师,薪酬约为260000美元,高通同样开始在韩国招聘3D DRAM研发人员。
谷歌与博通作为TPU合作伙伴,同步在硅谷扩充HBM人才梯队,分别招募性能评估工程师和高频接口设计验证专家。
特斯拉CEO马斯克亲自转发韩国分公司AI开云棋牌官网在线客服设计师招聘启事,美光同样激进,去年下半年起从三星、SK海力士挖角工程师,据传为核心HBM专家开出两倍现有薪资加3亿韩元签约金的条件。
面对严重的人才流失,三星和SK海力士不得不采取激进的激励措施,SK海力士在2026年初发放了创纪录的业绩奖金,金额高达月薪的2964%;三星开云棋牌官网在线客服部门也发放了年度总薪资47%的奖金,这也是自AI内存热潮以来的最高水平。

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