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谷歌自研芯片摆脱台积电先进封装

2026-07-29
来源:快科技

7月28日消息,据摩根士丹利报告,谷歌正在设计一款名为Frozen V2的新一代TPU芯片,目标是将SRAM直接集成到硅片上,从而摆脱对台积电CoWoS封装技术的依赖。

SRAM是目前AI芯片中速度最快的缓存,负责存储AI模型运行时频繁调用的数据,传统做法是把SRAM做成独立芯片,再通过CoWoS封装技术与计算单元连接在一起,但CoWoS封装工艺复杂、成本高,而且封装环节会增加数据传输的延迟。

Frozen V2的思路是把SRAM直接做在计算单元的硅片上,省去封装环节。

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这样一来,数据不需要在芯片之间传输,速度更快,延迟更低,谷歌希望通过这种方式为Gemini模型量身定制芯片,专门优化AI推理性能。

不过这种方式也有代价,每次AI模型有重大升级时,都需要重新设计芯片,芯片制造商也要为每一轮生产调整设备。

AI芯片制造商Taalas今年早些时候也采用了类似方法,将神经网络权重直接集成到硅片上。

摩根士丹利预计,Frozen V2可在2027年进入早期生产,2028年量产,合作伙伴方面,Marvell可能是候选之一,但目前尚未确认。

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