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硅基GaN功率器件与驱动集成设计
所属分类：技术论文
上传者：wwei
文档大小：4444 K
标签： GaN 功率IC 单通道
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文档介绍：为满足高频电源模块的应用需求，设计了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驱动电路和300 V功率管，有效减少分立式封装所带来的寄生电感，集成化设计能够提升芯片抗噪声能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工艺平台进行制备，采用E/D模集成电路设计。该芯片的驱动电路在2 MHz开关频率下输出信号上升时间为4.3 ns、下降时间为3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能够稳定工作。
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