中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的^[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

　　四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L（X）等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗^[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚^[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比^[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%^[4]，有助于降低设备中的功率损耗。

　　未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

　　测量条件：V_DD＝400V、V_GS＝18V/0V、I_D＝20A、T_a＝25°C、L＝100μH，R_g（外部栅极电阻）＝4.7Ω

　　续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）

　　图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

应用：

　　-服务器、数据中心、通信设备等的开关电源

　　-电动汽车充电站

　　-光伏逆变器

　　-不间断电源

特性：

　　-DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗

　　-东芝第3代SiC MOSFET

　　-通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性

　　-低漏源导通电阻×栅漏电荷

　　-低二极管正向电压：V_DSF＝–1.35V（典型值）（V_GS＝–5V）

主要规格：

　　注：

　　[1] 截至2025年5月。

　　[2] 电阻、电感等。

　　[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。

　　[4] 截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。

　　[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。

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